物理学博士学位论文提纲

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物理学博士学位论文提纲

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物理学博士学位论文提纲

  物理学博士学位论文提纲范文一

  摘要 4-6

  Abstract 6-7

  目录 8-11

  第1章 绪论 11-37

  1.1 课题研究背景及意义 11-12

  1.2 透明导电薄膜的分类及特性 12-20

  1.2.1 单层透明导电薄膜 13-19

  1.2.2 叠层透明导电薄膜 19-20

  1.3 界面对叠层透明导电薄膜性能的影响 20-22

  1.3.1 界面对叠层透明导电薄膜稳定性的影响 21-22

  1.3.2 界面对叠层透明导电薄膜光电性能的影响 22

  1.4 透明导电薄膜的应用 22-30

  1.5 叠层透明导电薄膜的研究现状 30-34

  1.6 本论文的主要工作及创新点 34-37

  第2章 新型高性能NiO/Ag/NiO叠层透明导电薄膜的制备及其在有机太阳能电池上的应用 37-65

  2.1 引言 37-39

  2.2 实验方法 39-41

  2.2.1 NAN叠层透明导电薄膜的制备与性能测试 39

  2.2.2 以NAN和ITO为阳极的太阳能电池的制备方法与性能测试 39-41

  2.3 结果与讨论 41-51

  2.3.1 NAN薄膜的光学性能 41-45

  2.3.2 NAN薄膜的电学性能及其稳定性 45-48

  2.3.3 NAN薄膜的表面形貌 48-49

  2.3.4 NAN薄膜在有机太阳能电池中的应用 49-51

  2.4 本章小结 51-52

  2.5 引言 52-53

  2.6 实验方法 53-54

  2.7 结果与讨论 54-63

  2.8 本章小结 63-65

  第3章 叠层透明导电薄膜SnO_x/Ag/SnO_x的制备及其在有机太阳能电池中的应用 65-96

  3.1 引言 65

  3.2 实验方法 65-67

  3.2.1 SAS叠层透明导电薄膜的制备与性能测试 66

  3.2.2 以SAS和ITO为阴极的太阳能电池的制备方法与性能测试 66-67

  3.3 结果与讨论 67-77

  3.3.1 SAS薄膜的光学性能 67-70

  3.3.2 SAS薄膜的电学性能 70-72

  3.3.3 SAS薄膜的表面形貌 72-73

  3.3.4 SAS薄膜在有机太阳能电池中的应用 73-77

  3.4 本章小结 77-78

  3.5 引言 78-79

  3.6 实验方法 79-80

  3.6.1 Bi_2O_3界面层以及SASB电极的制备过程及测试方法 79-80

  3.6.2 倒置太阳能电池的制备过程 80

  3.7 结果与讨论 80-92

  3.7.1 Bi_O_3作为阴极界面层在有机太阳能电池中的.应用 80-82

  3.7.2 SASB 薄膜的光电性能 82-84

  3.7.3 SASB的表面形貌 84-86

  3.7.4 低功函SASB电极在有机太阳能电池中的应用 86-92

  3.8 本章小结 92-93

  3.9 总结 93-94

  3.10 展望 94-96

  参考文献 96-111

  在学期间学术成果情况 111-112

  指导教师及作者简介 112-113

  物理学博士学位论文提纲范文二

  摘要 5-7

  Abstract 7-8

  目录 9-12

  第1章 绪论 12-26

  1.1 半导体激光器的研究进展 12-21

  1.1.1 高功率半导体激光器 12-15

  1.1.2 高效率半导体激光器 15

  1.1.3 高可靠性半导体激光器 15-16

  1.1.4 高光束质量半导体激光器 16-18

  1.1.5 窄线宽半导体激光器 18-21

  1.2 单纵模半导体激光器的研究进展 21-23

  1.2.1 国外单纵模半导体激光器的研究进展 22-23

  1.2.2 国内单纵模半导体激光器的研究进展 23

  1.3 本文的研究目的与内容 23-26

  第2章 高阶光栅单纵模半导体激光器理论设计与分析 26-46

  2.1 半导体激光器的基本特性 26-29

  2.1.1 半导体的辐射跃迁 26-27

  2.1.2 半导体激光器的增益与阈值条件 27-29

  2.2 半导体激光器的输出功率与转换效率 29-31

  2.2.1 半导体激光器的输出功率 29-30

  2.2.2 半导体激光器的转化效率 30-31

  2.3 半导体激光器的纵模与光谱特性 31-32

  2.4 高阶布拉格光栅波导的理论模型 32-38

  2.4.1 分布反馈(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33

  2.4.2 散射理论 33-36

  2.4.3 传输矩阵理论模型 36-38

  2.5 高阶布拉格光栅波导的光学特性分析 38-42

  2.5.1 传输矩阵分析 38-40

  2.5.2 高阶布拉格光栅的损耗光谱 40-42

  2.6 单纵模激光器的空间相干性分析 42-45

  2.6.1 部分相干光定理 42-43

  2.6.2 相干度理论计算方法 43-45

  2.7 本章小结 45-46

  第3章 高阶光栅单纵模半导体激光器制备 46-68

  3.1 外延生长技术 46-47

  3.2 光刻技术 47-52

  3.3 刻蚀技术 52-61

  3.3.1 干法刻蚀 52-55

  3.3.2 SiO2和GaAs刻蚀工艺探索 55-59

  3.3.3 湿法腐蚀 59-61

  3.4 薄膜生长技术 61-65

  3.4.1 电绝缘膜生长技术 62

  3.4.2 金属电极生长技术 62-64

  3.4.3 光学薄膜生长技术 64-65

  3.5 高阶光栅半导体激光器的制备 65-66

  3.6 本章小结 66-68

  第4章 高阶光栅分布布拉格反射半导体激光器 68-94

  4.1 高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器 68-81

  4.1.1 器件结构设计 68-76

  4.1.2 器件制备 76-77

  4.1.3 器件测量结果 77-81

  4.2 双波长高阶光栅分布布拉格发射激光器 81-86

  4.2.1 器件设计 81-83

  4.2.2 器件制备 83-84

  4.2.3 器件测量结果 84-86

  4.3 高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析 86-92

  4.3.1 拉曼光谱分析技术原理 87-88

  4.3.2 测试结果与分析 88-92

  4.4 本章小结 92-94

  第5章 高阶光栅单纵模分布反馈半导体激光器 94-100

  5.1 器件制备 94-96

  5.2 器件测量结果 96-99

  5.3 本章小结 99-100

  第6章 单纵模半导体激光器件空间相干特性的研究 100-116

  6.1 VCSEL单管器件空间相干性研究 100-107

  6.1.1 部分相干光理论 101-103

  6.1.2 测试结果 103-107

  6.2 VCSEL列阵器件的空间相干特性研究 107-114

  6.2.1 器件设计 107-110

  6.2.2 器件制备 110

  6.2.3 测试结果 110-114

  6.3 本章小结 114-116

  第7章 总结与展望 116-118

  参考文献 118-132


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