制备正交光子晶体的过程分析

时间:2020-08-27 14:21:13 物理毕业论文 我要投稿

制备正交光子晶体的过程分析

  光子晶体作为一种提高LED发光效率的有效手段,成为了目前研究的热门之一,下面是小编搜集整理的一篇探究制备正交光子晶体过程的论文范文,供大家阅读查看。

  全息干涉技术制备光子晶体以其制备迅速、一次成型、成本低等特点使得低成本实现高出光率光子晶体LED制作成为可能。

  1双光束两次曝光法制备正交光子晶体

  目前制作光子晶体的方法成本高,不适合制作大面积结构。而激光全息技术可以制作微米和亚微米级光子晶体,光子晶体尺寸可以达到厘米级,制作成本较低,便于产业化生产。全息技术制作二维正交光子晶体的方法有很多,双光束两次曝光法光路简单,只有两束相干光,光束的光强和偏振态容易调节,并且一次成型,不需要制作全息光学组件(HOE:Holographicopticalcomponents)等光学元件。双光束两次曝光法制备光子晶体的光路图见图1所示。

  2制备正交光子晶体的过程

  2.1样品的配制

  试验中所用的光刻胶为SU-8型环氧树脂,它在整个可见光波段都具有良好的透光性,且光散射较低,适合于深层固化。引发剂为环戊二烯基异丙苯铁六氟磷酸盐Irgacure261,它在532nm波段有较好的吸收特性,可以用可见光引发产生阳离子,进而引起感光树脂的聚合。溶剂为1,4.丁内酯,它可以把预聚体和引发剂充分溶解和混合。配制光刻胶时,按1:l质量比将环氧树脂SU.8溶于溶剂l,4.丁内酯中,再加入一定量(约为SU.8和1,4.丁内酯总质量的4.0%)的阳离子光引发剂Irgacure261.充分溶解后,滴加并涂覆在带有ITO薄膜的外延片上,利用匀胶机将光刻胶旋转展成薄膜。光刻胶的厚度为700nm左右。涂覆光刻胶后的外延片,需要经过一定的温度和时间的烘焙处理。温度和时间的控制是烘焙处理的关键,试验中采用恒温干燥箱进行烘烤,把光刻胶膜置于90℃左右的烘箱中高温加热30分钟。

  2.2曝光

  在制备二维正交光子晶体的过程中,保持两束相干光的强度不变(中心光强35mw,光斑光强137.2mw左右),通过改变曝光时间,多次试验,将结果进行比对,从而得到制备占空比为1:

  1的光子晶体的最佳曝光时间

  在实验中,将曝光时间分别控制在6×6s、7×7s、8×8s进行多次试验。在将实验结果进行比对后发现,只有曝光时间8×8s的情况下所制备的光子晶体占空比约为1:1.

  2.3聚合反应

  曝光后的样品尚需要高温烘焙来实现有效的聚合反应。因为虽然在引发剂受到干涉光照射后,在光场的相长干涉极大值附近容易产生阳离子,但是只有高温条件下环氧基的有效的阳离子聚合反应才能发生。将曝光后的样品置于90℃的恒温干燥箱中加热,烘焙时间约30分钟,才能完成交联聚合反应,然后让其自然冷却。为了防止胶膜发生裂纹,宜采取缓慢升温和缓慢冷却的方法。

  2.4显影

  显影就是把曝光烘焙后的样品用显影液除去应该去掉的部分光刻胶。曝光部分的光刻胶发生了光化学反应,从而大大的改变了这部分光刻胶在显影液中的溶解度。对于负性光刻胶,这部分将不溶于显影液,而未曝光部分的光刻胶将溶于显影液。把样品浸泡在盛有显影液的容器中,浸泡2分30秒,然后用丙酮清洗残留的洗液。丙酮的挥发性很大,可让样品自然干燥。

  之后通过拍摄扫描电镜图来分析实验结果。在制作光刻胶光子晶体掩膜时,曝光时间,显影时间以及显影液浓度是关键性的条件。显影后的样品以一定角度观察样品,会看到因衍射产生的彩色。从SEM上测量光子晶体的周期,约为1.5um左右。

  2.5湿法腐蚀

  腐蚀主要分为湿法腐蚀和干法刻蚀两种。由于ITO薄膜非常牢固、坚硬、耐碱、耐热、耐潮湿且性能稳定,但耐酸性较差,所以可以采用湿法腐蚀对ITO薄膜进行刻蚀。干法刻蚀包括等离子体刻蚀、反应离子刻蚀、离子束刻蚀三种。上述方法具有各向异性和对光刻胶的选择性好等优点。但与湿法刻蚀相比,其缺点是对反应条件的控制要求比较高,价格昂贵。由于LED外延片对酸有极强的耐腐蚀性,ITO容易被酸腐蚀,本实验采用酸湿法腐蚀ITO.

  腐蚀所用的酸溶液采用体积比为50:3:50的浓HCI,浓HNO3和水的混合液在50℃进行,腐蚀完毕后用去离子水清洗干净。腐蚀结束后将外延片放置到500℃的管式炉中,大气氛围下烧掉ITO上方的.光刻胶,得到ITO二维光子晶体结构。

  3光子晶体在LED发光效率中的作用

  LED作为新型高效光源,对于大幅度降低照明用电量具有很重要的作用,然而由于在半导体材料与空气界面的折射率差引起的全反射损耗,使LED的光提取效率很低。

  为提高光的提取效率,许多方法被提出,如表面粗化、金属表面等离激元、光子晶体等。在众多方法中,光子晶体的效果最为显着。以上述制备的光子晶体便可以使LED的发光效率提高20%.对于光子晶体提高LED发光效率的研究仍然需要改进和完善,但这种制作光子晶体的方法,工艺简单,造价低廉,适合进行产业化生产。

  4结语

  本文提出了利用双光束两次曝光制备光子晶体的方法,这种方法光路简单,易于调节,并且一次成型,以532nm可见光为光源,这种光源更易获得,并且在平台搭建和光路调节方面更具优势,配制了感光波长在532nm的光刻胶,成功制备占空比为l:1的二维正交光子晶体。本文所得结果对于光学集成及能源利用具有重要的参考价值。

  参考文献:

  [1]KnightJC,BirksTA.All-silicasingle-modeopticalfiberwithhotoniccrystalcladding.OpticsLetters.1996,21:1547-1549.

【制备正交光子晶体的过程分析】相关文章:

1.晶体管有哪些分类-晶体管的分类

2.如何检测晶体管-晶体管的检测方法

3.晶体管参数有哪些-晶体管的参数

4.CAD设置正交模式的方法

5.有关创业过程的优劣势分析

6.晶体管代换有哪些原则-晶体管代换原则

7.幼儿舞蹈创编过程的重难点分析

8.物流过程透明化原则分析

9.上市公司财务舞弊过程分析