铪基高k栅介质纳米MOSFET栅电流模拟分析

铪基高k栅介质纳米MOSFET栅电流模拟分析

全部作者： 王伟 孙建平 顾宁 第1作者单位： 东南大学 论文摘要： 运用1种量子模型研究铪基高k栅介质纳米MOSFET栅隧穿电流，对栅电流中的3维电流成分用行波统1地计算热发射电流、通过介质势垒的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿电流，直接隧穿电流，带间隧穿电流；对2维栅电流成分通过反型层势阱中准束缚态的隧穿率计算。运用该方法计算了各种铪基高k介质材料和结构的MOSFET栅极电流, 并进行了分析比较。研究了铪基高k介质中氮、铪和铝等元素含量及界面层对栅极电流的影响。结果显示，为最大限度减少MOS器件的栅电流，需要优化介质中氮含量、铝含量及界面层厚度。本模型能够与实验结果很好地吻合。 关键词： 高k；栅电流；量子模型 (浏览全文) 发表日期： 2006年06月06日 同行评议：

作者在已有自己研究工作的基础上，发展了纳米MOSFET栅隧穿电流模型。计算结果与实验相1致，且文中给出的结果对发展铪基高k栅介质纳米MOSFET栅有指导意义。 下面问题请作者考虑： （1）作者单位：Southest University，书写有误，改为Southeast University （2）中文摘要：“……计算了各种铪基高k介质材料…..”中“各种”建议改为“多种”。 （3）Fig. 2 图题中，Data of crystallization temperature are from [1]（上标）. 文献[1]的标注不应是上标，应为“from [1]”，其余同。 （4）Fig. 3(a) 中标了5种情况，实际有6根曲线。 （5）Fig. 5 下面的正文文字（1，2行）字号大小不1样大。 　

综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。

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