化学浴沉积ZnSe薄膜及其光学特性研究
全部作者： 陈良艳 张道礼 黄川 张建兵 第1作者单位： 华中科技大学电子科学与技术系 论文摘要： ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体，在蓝绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。化学浴沉积法是1种低能耗、污染小的合成路线。本文使用3乙醇胺和水合阱等做络合剂，选用合适的阳离子（醋酸锌或硫酸锌）和阴离子源(硒脲或硒带硫酸钠)浓度配比，沉积出均匀的`ZnSe薄膜，薄膜呈淡黄色。用SGC-2型椭偏仪测得薄膜厚度约为100-140nm；通过X-射线衍射测得400℃下N2气氛中退火的薄膜呈闪锌矿结构，可见光范围内的透光率可达70％以上，禁带宽度为3.0eV左右，同块体材料相比(2.7eV)，表现出1定的蓝移。 关键词： 化学浴 硒化锌薄膜 光学特性 (浏览全文) 发表日期： 2006年08月25日 同行评议：
该文报道了化学浴法制备ZnSe薄膜的有关结果。尽管文章的结构合理，书写规范，给出的实验结果可信，但是从本质上说该工作缺乏新意。论文中提及薄膜禁带宽度比体材料有所增加，但没有给出合理的解释。此外，薄膜的表面形貌和微观结构的表征在文中没有给出。总之，该文在实验路线上缺乏新意，在对实验结果的解释上缺乏深度。
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