SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析

时间：2022-05-11 19:17:51 通信工程毕业论文我要投稿

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全部作者：陈治明李连碧林涛蒲红斌李佳李青民第1作者单位：西安理工大学论文摘要：用SEM和TEM对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜进行了结构分析，发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状生长特征，且遵循Stranski-Krastanov（SK）生长模式。温度较低时，在生长初期形成的2D生长层的上方，样品具有两种不同的岛状结构：1种是球形结构，另1种是3角型层状堆叠结构。前者形状规则，在样品中占主导地位，后者具有锐利整齐的台阶状边缘，数量较少。随着温度的升高，球形岛逐渐减少，3角岛逐渐增多，且在高温下样品中的3角岛占主导地位。高分辨TEM 分析表明，高温SiCGe/SiC样品的界面清晰整齐，其生长初期形成的2D层厚度达到了40nm，几乎为温度较低时2D生长层厚度的两倍。衍射花样的标定表明：2D层和3角岛为闪锌矿型结构，而球形岛则为金刚石型结构。关键词： SiC；SiCGe；岛状生长；热壁化学气相沉积 (浏览全文) 发表日期： 2007年07月30日同行评议：

论文研究分析了SiCGe在SiC衬底上外延生长过程中温度对薄膜结构的影响。有1定的新颖性，对于该领域的研究人员有参考价值。但文中有1些小错误需要修改，如英文摘要中倒数第3行“TED”是否应该为“TEM”。还有，论文最好对实验结果做1些更深入的讨论，这样可以提高论文的学术水平。　

综合评价：修改稿：注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。

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