H+-ISFET的温度特性及补偿
全部作者： 许姗 童敏明 李雪花 杨礼现 第1作者单位： 中国矿业大学信息与电气工程学院 论文摘要： 本文通过研究氢离子敏场效应传感器（H+-ISFET）的物理化学结构特性得到它的温度特性，总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺点，提出了5种抑制温度漂移的方法，使得温度补偿后的H+-ISFET有了较好的温度特性。 关键词： 氢离子敏场效应传感器，H+-ISFET，温度特性，温度补偿 (浏览全文) 发表日期： 2007年07月09日 同行评议：
该文通过分析氢离子敏场效应传感器的特点，传感器的温度漂移，提出了几种抑制温度漂移的方法，具有1定的参考意义。如有实验数据的.支持则更好1些。比如补充1些温漂的实际改善情况的数据则更有说服力
综合评价： 修改稿： 注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值，以1至5颗星显示。【H+-ISFET的温度特性及补偿】相关文章：
SSAT考试特性及考试趋势总结09-30
OA系统的特性08-12
CAD特性03-24
硬盘温度测试软件07-16
SSAT考试的特性总结08-16
教你如何查看硬盘温度07-27
CAD查看对象的特性的方法08-10
韩语依存名词特性08-14
美国中考SSAT考试的特性09-30
动画场景设计的特性有哪些10-04